真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面，它是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術，為科學研究和實際生產提供薄膜制備的一種新工藝。簡單地說，在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發或濺射，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。真空鍍膜技術基本都是在處于真空的環境下進行的，因此人們稱它們為真空鍍膜技術。產品鍍膜的過程是真空環境，真空度高。鍍膜機內部氣壓極低，產品中的添加劑、油脂、水分均會溢出。

　　真空鍍膜(mo)(mo)的(de)(de)方(fang)法很多(duo)，其(qi)中有(you)以(yi)下三點：(1)真空蒸(zheng)鍍：將需鍍膜(mo)(mo)的(de)(de)基(ji)體(ti)清洗(xi)后(hou)(hou)放(fang)到(dao)(dao)鍍膜(mo)(mo)室，抽空后(hou)(hou)將膜(mo)(mo)料加熱(re)到(dao)(dao)高(gao)溫，使蒸(zheng)氣(qi)達(da)到(dao)(dao)約(yue)(yue)13.3Pa而使蒸(zheng)氣(qi)分(fen)子飛(fei)到(dao)(dao)基(ji)體(ti)表面，凝結而成薄膜(mo)(mo)。(2)陰(yin)極(ji)濺(jian)射(she)鍍：將需鍍膜(mo)(mo)的(de)(de)基(ji)體(ti)放(fang)在陰(yin)極(ji)對(dui)面，把惰性(xing)氣(qi)體(ti)(如氬)通入已抽空的(de)(de)室內，保持(chi)壓強約(yue)(yue)1.33～13.3Pa，然后(hou)(hou)將陰(yin)極(ji)接上2000V的(de)(de)直流電(dian)源，便激發輝光放(fang)電(dian)，帶正電(dian)的(de)(de)氬離子撞擊陰(yin)極(ji)，使其(qi)射(she)出(chu)原子，濺(jian)射(she)出(chu)的(de)(de)原子通過(guo)惰性(xing)氣(qi)氛沉積到(dao)(dao)基(ji)體(ti)上形(xing)成膜(mo)(mo)。(3)化學氣(qi)相沉積：通過(guo)熱(re)分(fen)解所選定的(de)(de)金屬(shu)化合(he)物或(huo)有(you)機化合(he)物，獲得沉積薄膜(mo)(mo)的(de)(de)過(guo)程。

　　在真(zhen)空條件下成(cheng)膜(mo)有很(hen)多優點：可減少蒸(zheng)(zheng)發(fa)材料(liao)的(de)原子(zi)、分子(zi)在飛向(xiang)基板(ban)(ban)過程(cheng)中于分子(zi)的(de)碰(peng)撞，減少氣(qi)體中的(de)活性分子(zi)和蒸(zheng)(zheng)發(fa)源材料(liao)間的(de)化(hua)學反應(ying)（如氧(yang)化(hua)等(deng)），以(yi)及(ji)減少成(cheng)膜(mo)過程(cheng)中氣(qi)體分子(zi)進入薄(bo)膜(mo)中成(cheng)為雜質(zhi)(zhi)的(de)量，從而提(ti)供膜(mo)層的(de)致密度、純度、沉積速率和與基板(ban)(ban)的(de)附著力。通常真(zhen)空蒸(zheng)(zheng)鍍要求成(cheng)膜(mo)室內(nei)壓力等(deng)于或低于10-2Pa，對于蒸(zheng)(zheng)發(fa)源與基板(ban)(ban)距離較遠和薄(bo)膜(mo)質(zhi)(zhi)量要求很(hen)高的(de)場合(he)，則(ze)要求壓力更(geng)低。

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