真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面，它是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術，為科學研究和實際生產提供薄膜制備的一種新工藝。簡單地說，在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發或濺射，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。真空鍍膜技術基本都是在處于真空的環境下進行的，因此人們稱它們為真空鍍膜技術。產品鍍膜的過程是真空環境，真空度高。鍍膜機內部氣壓極低，產品中的添加劑、油脂、水分均會溢出。

　　真(zhen)空鍍(du)(du)膜(mo)的(de)(de)方法很多(duo)，其中有(you)以下(xia)三點(dian)：(1)真(zhen)空蒸(zheng)鍍(du)(du)：將(jiang)(jiang)需鍍(du)(du)膜(mo)的(de)(de)基(ji)(ji)體清洗后(hou)放(fang)到鍍(du)(du)膜(mo)室，抽空后(hou)將(jiang)(jiang)膜(mo)料加(jia)熱到高溫，使(shi)(shi)蒸(zheng)氣(qi)達(da)到約13.3Pa而使(shi)(shi)蒸(zheng)氣(qi)分子(zi)飛到基(ji)(ji)體表(biao)面，凝結而成(cheng)薄膜(mo)。(2)陰極(ji)濺(jian)射鍍(du)(du)：將(jiang)(jiang)需鍍(du)(du)膜(mo)的(de)(de)基(ji)(ji)體放(fang)在陰極(ji)對面，把(ba)惰性氣(qi)體(如氬)通(tong)(tong)(tong)入已抽空的(de)(de)室內(nei)，保持壓強(qiang)約1.33～13.3Pa，然后(hou)將(jiang)(jiang)陰極(ji)接(jie)上(shang)2000V的(de)(de)直(zhi)流電(dian)源，便(bian)激發輝(hui)光放(fang)電(dian)，帶正電(dian)的(de)(de)氬離子(zi)撞擊陰極(ji)，使(shi)(shi)其射出原子(zi)，濺(jian)射出的(de)(de)原子(zi)通(tong)(tong)(tong)過惰性氣(qi)氛沉(chen)積到基(ji)(ji)體上(shang)形成(cheng)膜(mo)。(3)化學氣(qi)相沉(chen)積：通(tong)(tong)(tong)過熱分解所選定(ding)的(de)(de)金屬化合物或有(you)機化合物，獲得沉(chen)積薄膜(mo)的(de)(de)過程。

　　在真(zhen)空條(tiao)件下成膜(mo)有(you)很(hen)(hen)多優點：可減(jian)少(shao)蒸(zheng)(zheng)發材(cai)料(liao)的原子、分子在飛向基(ji)板過(guo)程(cheng)中(zhong)于(yu)分子的碰撞，減(jian)少(shao)氣體中(zhong)的活性分子和(he)蒸(zheng)(zheng)發源(yuan)材(cai)料(liao)間(jian)的化學(xue)反(fan)應(ying)（如氧化等(deng)），以及(ji)減(jian)少(shao)成膜(mo)過(guo)程(cheng)中(zhong)氣體分子進入薄膜(mo)中(zhong)成為雜質的量，從而提供膜(mo)層的致密(mi)度、純度、沉積速率和(he)與基(ji)板的附著力。通常真(zhen)空蒸(zheng)(zheng)鍍要求成膜(mo)室內壓力等(deng)于(yu)或低(di)(di)于(yu)10-2Pa，對于(yu)蒸(zheng)(zheng)發源(yuan)與基(ji)板距離較(jiao)遠(yuan)和(he)薄膜(mo)質量要求很(hen)(hen)高的場(chang)合(he)，則要求壓力更低(di)(di)。

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