磁控(kong)濺射包括很多種類。各(ge)有不同(tong)工(gong)作(zuo)原理和應用對象。但有一(yi)共同(tong)點(dian)：利用磁場與電(dian)場交互作(zuo)用，使(shi)電(dian)子(zi)(zi)在(zai)靶表面附近成螺旋狀運行(xing)，從(cong)而(er)增大電(dian)子(zi)(zi)撞擊氬氣產生離(li)子(zi)(zi)的概率。所(suo)產生的離(li)子(zi)(zi)在(zai)電(dian)場作(zuo)用下撞向靶面從(cong)而(er)濺射出靶材。

1、靶源不(bu)同

靶(ba)(ba)(ba)(ba)源分平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)式(shi)和非平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)式(shi)，平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)式(shi)靶(ba)(ba)(ba)(ba)源鍍膜均勻，非平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)式(shi)靶(ba)(ba)(ba)(ba)源鍍膜膜層和基體(ti)結合力強(qiang)。平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)靶(ba)(ba)(ba)(ba)源多(duo)用于半導(dao)體(ti)光學膜，非平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)多(duo)用于磨損裝飾膜。

2、磁場位形(xing)分布(bu)不同

根據磁(ci)控(kong)陰極按照磁(ci)場位(wei)形分布不(bu)同，大致可分為(wei)平(ping)衡(heng)態(tai)(tai)磁(ci)控(kong)陰極和非平(ping)衡(heng)態(tai)(tai)磁(ci)控(kong)陰極。平(ping)衡(heng)態(tai)(tai)磁(ci)控(kong)陰極內外磁(ci)鋼的磁(ci)通量大致相等，兩極磁(ci)力(li)線(xian)v閉合于靶面(mian)，很好地將電子/等(deng)離(li)子體(ti)約束在靶(ba)面(mian)附近，增加了碰撞(zhuang)幾率(lv)(lv)，提高了離(li)化(hua)效率(lv)(lv)，因(yin)而(er)(er)在較低的工(gong)作氣壓(ya)和(he)電壓(ya)下(xia)就(jiu)能起(qi)輝(hui)并維持(chi)輝(hui)光放電，靶(ba)材利用(yong)率(lv)(lv)相對(dui)較高。但由于電子沿(yan)磁(ci)(ci)力線運動主要(yao)閉合于靶(ba)面(mian)，基片(pian)(pian)區(qu)域(yu)所受離(li)子轟擊較小。非平衡磁(ci)(ci)控(kong)濺射技術，即讓磁(ci)(ci)控(kong)陰極(ji)外(wai)磁(ci)(ci)極(ji)磁(ci)(ci)通(tong)大于內磁(ci)(ci)極(ji)，兩(liang)極(ji)磁(ci)(ci)力線在靶(ba)面(mian)不完全閉合，部分磁(ci)(ci)力線可沿(yan)靶(ba)的邊緣延伸到基片(pian)(pian)區(qu)域(yu)，從(cong)而(er)(er)部分電子可以沿(yan)著(zhu)磁(ci)(ci)力線擴展(zhan)到基片(pian)(pian)，增加基片(pian)(pian)區(qu)域(yu)的等(deng)離(li)子體(ti)密度和(he)氣體(ti)電離(li)率(lv)(lv)。

不(bu)管平衡還是非平衡，若(ruo)磁鐵(tie)靜止(zhi)，其磁場(chang)特(te)性決定(ding)了一般靶材利(li)用率小于(yu)30%。為(wei)增大(da)靶(ba)材利用率，可采用旋(xuan)(xuan)轉磁場。但(dan)旋(xuan)(xuan)轉磁場需要旋(xuan)(xuan)轉機構，同時濺射速率要減小(xiao)(xiao)。旋(xuan)(xuan)轉磁場多(duo)用于(yu)大(da)型(xing)或貴(gui)重(zhong)靶(ba)，如半導體膜濺射。對于(yu)小(xiao)(xiao)型(xing)設備和一(yi)般工(gong)業設備，多(duo)用磁場靜止靶(ba)源。